4-дюймовая окисленная Кремниевая пластина SIO2 экспериментальные исследования

Моднявка = ckeditor

По ссылке цена размер:4 дюйма одного литого dioxy 300nm Вафля окиси кремния

Один и двойной список параметров окисления Серийный номер Название Окисления диапазон Точечный запас окислительного слоя (изменить в любое время) Другое толщина Примечания 1, Ультра тонкий окисления 5-20nm 5nm 10nm 20nm По индивидуальному заказу Различные высококачественные специальные параметры окисленных кремниевых пластин, небольшое количество может быть изменено; 2, Ультра-тонкий окисления 20-50nm 20nm 30nm 40nm По индивидуальному заказу 3, Тонкий окисления 50-100nm 50nm 65nm 80nm По индивидуальному заказу 4, Нормальный окисления 100-1000nm 100nm 200nm 285nm По индивидуальному заказу 300nm 330nm 450nm 500nm 550nm 800nm 5, Толстой оксидной 1000-2000nm 1000nm 1350nm 2000nm По индивидуальному заказу 6, Ультра тонкие окисления 2000-5000nm 3000nm 4000nm 5000nm По индивидуальному заказу

Параметр продукта Размер продукта Премьер-класс 4 дюймовый усиленный кремневый, Вафля окиси Режим роста CZ одиночный кристалл/Зона плавления одиночный кристалл (CZ/FZ) Диаметр и допуск мм 100,2 ± 0,3 мм Модель/допинг Тип N/P фосфор, мышьяк и Бор могут быть отправлены или настроены в соответствии с требованиями заказчика С украшением в виде кристаллов ориентации <111> \< 100> \< 110> может быть отправлен или настроен в соответствии с требованиями заказчика Сопротивление 0,001-20000 (ом · см) могут быть отправлены или настроены в соответствии с требованиями заказчика Это действительно плоский экран с перемешиванием <3ΜМ Счетов-фактур Может быть предоставлена фактура машины Коробление TTV <10μm Изогнутый лук <10μm РА <0.5nm Зернистость pewaferr <10 (размер> 0.3μ m) Способ упаковки 1 шт. упаковка, 5 шт. упаковка, 10 шт. посылка, 25 шт. Инкапсуляция, супер чистая и пылезащитная алюминиевая фольга вакуумная посылка; Имеющаяся толщина запаса составляет μ м; Толщина оксида: 10-5000нм доступны в наличии; Толщина: двойной бросок 200-2000μ м, один бросок 150-5000μ м между различной толщиной кремния может быть предоставлена; Цель Для Процесса переноса образцов синхротронного излучения, PVD/CVD покрытия подложки, магнетронного распыления, XRD, SEM, роста атомных сил образца, инфракрасной спектроскопии, флуоресцентной спектроскопии анализа испытательной подложки, субстрата, субстрата, молекулярный пучок эпитаксиального роста рентгеновского анализа кристаллической полупроводниковой литографии, обработки полупроводниковых устройств и т. Д.! 4 дюйма (100 мм) Диаметр монокристаллического кремния оксидной пленки Слой диоксида кремния образуется на поверхности теплового оксида или голеного кремния. В присутствии окисляющего агента при повышенных температурах процесс называется термическим окислением. Слой горячего оксида обычно выращивается в Трубчатая Печь горизонтальная. Диапазон температур контролируется при температуре от 900 до 1200 градусов Цельсия с помощью влажного или сухого метода роста. Термический оксид-это слой выращенного оксида. Он имеет более высокую однородность и более высокую диэлектрическую прочность, чем слой оксида, осажденный методом CVD. Это хороший Диэлектрический слой в качестве изолятора. В большинстве устройств на основе кремния слой термооксида играет очень важную роль в утешении поверхности кремния. Как допинг барьер и диэлектрик поверхности. Применение диапазон: 1, определение скорости etch 2. Проверка металлической проволоки 3, металлические пластины 4, электрическая изоляция Процесс окисления: Термическое окисление-метод, при котором Кремниевая пластина помещается при высокой температуре и окислительная атмосфера используется для преобразования тонкого слоя кремния на поверхности кремния в диоксид кремния. Общие Термические категории и характеристики процесса окисления: 1. Окисление сухого кислорода: окисление сухого кислорода-окислительная атмосфера сухая, чистый кислород. Оксидная пленка плотная, плотность отверстия небольшая, подходит для фотолитографии, и качество хорошее, но скорость окисления медленная и высокая стоимость. 2. Окисление водяного пара: метод окисления водяного пара-окислительная атмосфера-это чистый водяной пар. Скорость окисления быстрая, но оксидная пленка свободная, плотность отверстия большая, качество плохое, и фотолитография легко плавает. 3. Влажное окисление кислорода: влажное окисление кислорода-окисляющая атмосфера-чистый кислород + чистый водород. Качество оксидной пленки и скорость окисления между окислением сухого кислорода и окислением водяного пара, а качество также между ними. Три вида методов термического окисления, качество оксидного слоя сухого окисления кислорода лучше; Слой оксида кремния окисляется чистым сухим кислородом ниже 500 нм, качество оксидного слоя отличное, изоляция очень хорошая, И используется уникальная запатентованная технология окисления нашей компании., оксидный слой имеет наименьшие дефекты и заряды, а плоскость высокая.