Тестер транзисторов TFT с ЖК экраном ATMEAG328P M328 измеритель емкости диодов LCR ESR

Тестер транзисторов TFT с ЖК экраном ATMEAG328P M328 измеритель емкости диодов LCR ESR

RM1307731648960339

Мощность: прибор для проверки транзисторов может быть Мощность ed от 6,8 V - 12V постоянного тока. Это может быть достигнуты с помощью галетную батарею 9. Два 3,7 V литий-ионный аккумулятор в серии. Или адаптер переменного тока. При включении тока около 30 мА при напряжении 9 В постоянного тока.

Управление: тестер транзисторов управляется «поворотным импульсным кодировщиком с переключателем», или коротким «RPEWS», этот компонент имеет четыре режима работы, короткое время нажмите на ручку, нажмите и удерживайте, поверните ручку влево и вправо. Когда тестер транзисторов приведен в действие. Короткое время нажатия RPEWS включит транзисторный тест er и начнет тест. Транзисторный тест er будет ждать ввода пользователя в конце теста. Во время окончания теста и до его автоматического выключения. Долгое время нажмите или поверните влево и вправо RPEWS войдет в функциональное меню. В функциональном меню a «>» в левом столбце для индексации выбранного пункта меню. Чтобы ввести конкретную функцию, просто нажмите на RPEWS. В рамках определенной функции нажмите и удерживайте ручку, чтобы выйти из нее и вернуться в функциональное меню.

Тест: транзистор тест er имеет три тестовые точки (TP1,TP2,TP3), в тестовом сокете три распределяются следующим образом.

На правой стороне тестового гнезда находится тестовая площадка SMT, также есть номер для идентификации каждого.

При тестировании двух свинцовых компонентов (резистор, конденсатор, индуктор) два свинца могут выбрать любые две тестовые точки. Если выбран TP1 и TP3, тест войдет в «тестовый режим серии», когда тест завершится. В противном случае тест начинается снова одним нажатием кнопки RPEWS.

Внимание: перед подключением к тестеру обязательно разряжайте конденсаторы! Тестер может быть поврежден перед включением. Есть только небольшая защита на портах MCU. Требуется дополнительная осторожность, если вы попытайтесь проверить компоненты, установленные в цепи. В любом чехол оборудование следует отключать от источника питания, а также вы можете быть уверены, что в оборудовании не оставалось остаточного напряжения.

Самопроверка и калибровка: самопроверка может быть подготовлена путем соединения всех трех тестовых точек и нажатия RPEWS, цвет ЖК-дисплея тестового er изменится на Белый шрифт и черный фон. Подсказка «Selftest mode ..?», чтобы начать самопроверку, RPEWS должны быть нажаты снова в течение 2 секунд, иначе тестер будет продолжать нормальное измерение. Теперь Автотест начинается, тестер подскажет вам о следующем шаге. Подождите некоторое время, пока подсказка «изолирует зонды!», в это время снимите соединение трех тестовых точек. Тестер будет ждать, пока не почувствует отключение. Затем тест er продолжает процесс самостоятельного тестирования. Если это первый раз, используйте самопроверку (тест транзистора собирается самостоятельно с нуля), тестовый er скоро подскажет строку «1-|-3 > 100nf», конденсатор с любой емкостью между 100nF и 20µF, подключенный к pin 1 и pin 3, необходим для последней задачи калибровки, Вы должны подключить конденсатор, не до того, как появится текст. С этим конденсатором смещенное напряжение Аналогового компаратора будет компенсировано для лучшего измерения значений емкости.

Специальное использование подсказок: обычно Тестер показывает напряжение батареи с каждым запуском. Если напряжение падает ниже предела, за напряжением батареи отображается предупреждение. Если вы используете перезаряжаемую батарею 9 В, вы должны заменить батарею как можно скорее Или вам следует зарядить. Измеренное напряжение питания будет отображаться в строке отображения два в течение 1 секунды с "VCC = x.xxV". Он не может повторяться достаточно часто, что конденсаторы должны быть разряжены перед измерением. В противном случае тестер может быть поврежден до нажатия кнопки пуска. Если вы попытаетесь измерить компоненты в собранном состоянии, оборудование должно быть отключено всеми способами от источника питания. Кроме того, вы должны быть уверены, что остаточное напряжение не находится в оборудовании. У каждого электронного оборудования есть конденсаторы внутри! Если вы попытаетесь измерить небольшие значения резистора, вы должны иметь в виду сопротивление разъемов и кабелей. Качество и состояние Штепсельных Разъемов важны, а также сопротивление кабелей, используемых для измерения. То же самое действует для измерения ESR конденсаторов. При плохом подключении кабеля значение ESR 0,02 Ом может вырасти до 0,61ом. Вы не должны ожидать очень хорошей точности результатов измерений, особенно измерение ESR и результаты измерения индуктивности не очень точные

Компоненты с проблемами: вы должны иметь в виду, интерпретируя результаты измерений, что схема транзисторного тестера предназначена для небольших сигнальных полупроводников. При нормальном измерении ток измерения может достигать лишь около 6 мА. Силовые Полупроводники часто возникают проблемы из-за остаточного тока с идентификацией и измерением значения пропускной способности. Тестер часто не может поставить достаточное количество тока зажигания или удерживающего тока для тиристоров питания или ТРИАКОВ. Таким образом, тиристор может быть обнаружен как транзистор NPN или диод. Также возможно, что Тиристор или триацис обнаружен как Неизвестный. Другой проблемой является идентификация полупроводников с интегрированными резисторами. Поэтому диод базового эмиттера транзистора BU508D не может быть обнаружен по причине параллельного подключения внутреннего резистора 42 Ом. Поэтому функция транзистора также не может быть протестирована. Проблема с обнаружением также решается с помощью транзисторов power Darlington. Мы часто находим внутренние резисторы с базовым излучателем, что затрудняет определение компонента с низкоразмерным измерительным током.

Измерение транзисторов PNP и NPN: для нормального измерения три контакта транзистора будут подключены в любом порядке к входам измерения транзисторного тестера. После нажатия RPEWS Тестер показывает в row1 тип (NPN или PNP), возможный интегрированный защищающий диод пути коллектора-эмиттера и последовательности контактов. Символ диода показан с правильной полярностью. В строке 2 показан коэффициент усиления тока (hfe =...) и пороговое напряжение базового эмиттера. Вы должны знать, что тестер может измерять коэффициент усиления с помощью двух различных схем, общего эмиттера и общей коллекторной цепи (эмиттерный последователь). На ЖК-дисплее показан только более высокий результат. С германиевыми транзисторами часто снимается ток коллектора ICEO с током меньше базы или коллектор остаточного тока ICES с основанием удерживать до уровня эмиттера измеряется

Измерение транзисторов JFET и D-MOS: поскольку структура типа JFET симметрична, источник и слив этого транзистора не могут отличаться. Обычно одним из параметров этого транзистора является ток транзистора с затвором на том же уровне, что и источник. Этот ток часто выше, чем ток, который может быть достигнут с измерительной схемой транзисторного тестера с резистором 680 Ом. По этой причине резистор 680ohm подключен к источнику. Таким образом ворота получают с растущим током отрицательное напряжение смещения. Тестер сообщает исходный ток этой цепи и дополнительно напряжение смещения ворот. Поэтому различные модели могут отличаться. D-MOS транзисторы (тип истощения) измеряются одним и тем же методом. Вы должны знать для повышения МОП-транзисторы (P-E-MOS или N-E-MOS), что измерение порогового напряжения ворот (Vth) сложнее с небольшими значениями емкости ворот. Вы можете получить лучшее значение напряжения, если вы подключите конденсатор со значением некоторого nF параллельно вороту/источнику. Пороговое напряжение затвора будет обнаружено с током Слива около 3,5 мА для P-E-MOS и около 4 мА для N-E-MOS

Описание функционального меню: 1. Включите эту функцию, тестер немедленно отключится. 2. Тест транзисторов, это также функция по умолчанию при включении. 3. Измерение частоты, для частот ниже 25 кГц нормальное измерение сопровождается измерением времени периода. Это дополнительное измерение выполняется только после нормального измерения частоты. 4. Генераторный сигнал генератора, эта функция может выводить квадратную волну. С различной частотой на выбор. 5. 10-битная ШИМ функция «10-битная ШИМ» (импульсный Ширина модуляция) генерирует фиксированную частоту (7812,5 Гц) с выбираемым импульсом Ширина на штырь TP2. С коротким ключом печати (<0,5 s) ширина импульса увеличена на 1%, с увеличенным сроком нажмите клавишу ширина импульса увеличена на 10%. Если 99% превышено, 100% вычитается из результата. Функция может быть выхода с очень долгим клавишами (> 1,3). 6. C + ESR @ TP1:3 дополнительная функция «C + ESR @ TP1:3» выбирает отдельное измерение емкости с ESR (эквивалентное сопротивление серии) измерение на тестовых штифтах TP1 и TP3. Возможны измерения мощности от 2 мкФ до 50 Мф. Поскольку измерительное напряжение составляет всего около 300 мВ, в большинстве случаев конденсатор может быть измерен «в цепи» без предварительной разборки. Серия измерений может быть завершена с длинным прессом RPEWS. 7.Selftest с функцией меню "Selftest" полностью самопроверка с калибровкой. С этим вызовом все тестовые функции T1 до T7, а также Калибровка с внешним конденсатором выполняется каждый раз. 8. Измерение напряжения, поскольку 10:1(180K:20K) деление напряжения подключено, максимальное внешнее напряжение может быть 50 в, измерение также может быть выполнено путем непрерывного вращения RPEWS. 9. Отображение данных функция «показать данные» показывает, кроме номера версии программного обеспечения данные калибровки. Это нулевое сопротивление (R0) комбинации штифта 1:3, 2:3 и 1:2. Кроме того, показаны сопротивление выходов порта на стороне 5 В (RiHi) и на стороне 0 В (RiLo). Значения нулевой мощности (C0) также показаны со всеми контактными комбинациями (1:3, 2:3,1:2 и 3:1, 3:2 2:1). Наконец, приведены коррекционные значения для компаратора (REF C) и для справочного напряжения (REF R). Каждая страница отображается в течение 15 секунд, но вы можете выбрать следующую страницу нажатием кнопки или правой поворотной кнопкой. С левым поворотом поворотного датчика вы можете повторить вывод последней страницы или вернуться на предыдущую страницу. 10. Передний цвет Эта функция может изменить цвет шрифта, 16-битный цвет кодируется в формате RGB(565), это означает, что Красный максимум = 31, зеленый максимум = 63, синий максимум = 31 соответственно. В функции короткое нажатие может индексировать базовый цвет для изменения, повернуть налево, уменьшить его значение и повернуть направо, увеличить его значение. Длительное нажатие позволит сохранить результат и выйти из функции, пожалуйста, имейте в виду цвет передней части и цвет задней части не может быть таким же. Чехол с ЖК-дисплеем ничего не показывает. Если это произойдет, вам нужно сделать самопроверку, как ввести Selftest-это описание на странице 2. Selftest изменит заднюю часть

Цвет-черный и цвет-белый автоматически. После завершения теста. У вас будет возможность изменить цвет.

11. Цвет задней панели-это функция, аналогичная цвету передней панели, за исключением изменения цвета фона. 12. 1-|-3 Эта функция может измерять емкость при TP1 ,TP3, эта функция может измерять очень маленький конденсатор. Длительное нажатие будет выходить из функции. 13. 1-3 Эта функция может измерять сопротивление и индуктивность при TP1 ,TP3, длительное нажатие будет выходить из функции. 14.DS18B20 DS18B20 представляет собой цифровой термометр с 1 проводом протокола связи, он выглядит как транзистор из-за компонентной посылка до-92, поэтому он может поместиться в тестер транзисторов.

При входе в эту функцию, в строке 2 ЖК-дисплея отображается строка «1 = GND 2 = DQ 3 = VDD», это означает, что TP1 тестера соединяет GND DS18B20 и так далее. Тестер не может почувствовать распределение контактов DS18B20, потому что DS18B20 является интегральной схемой. Необходимо в соответствии со строкой для установки DS18B20. Тестер считывает температуру с разрешением 12 бит, сначала запускает команду «конвертировать T» [44h], А затем серии ознакомиться с 9 байт "блокнот" и "64-разрядный лазером Встроенная память". Получите первые два байта в пределах «SCRATCHPAD», преобразуйте эти первые два байта для отображения температуры в строке 3 ЖК-дисплея

Например: далее приводится чтение DS18B20. S cratchpad : EC014B467FFF0C102A